atp113 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  atp113
• Производитель
  Sanyo Semiconductor
• Описание
  ON Semiconductor ATP113 Mfr Package Description: HALOGEN FREE, ATPAK-3 Package Shape: RECTANGULAR Package Style: SMALL OUTLINE Surface Mount: Yes Terminal Form: GULL WING Terminal Position: SINGLE Number of Terminals: 2 Package Body Material: PLASTIC/EPOXY Configuration: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Case Connection: DRAIN Number of Elements: 1 Transistor Application: SWITCHING Transistor Element Material: SILICON Channel Type: P-CHANNEL FET Technology: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Operating Mode: ENHANCEMENT Transistor Type: GENERAL PURPOSE POWER Drain Current-Max (ID): 35 A DS Breakdown Voltage-Min: 60 V Avalanche Energy Rating (Eas): 95 mJ Drain-source On Resistance-Max: 0.0295 ohm Pulsed Drain Current-Max (IDM): 105 A
• Количество страниц
  4 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet atp113.pdf
Файл формата Pdf 60,98 KB